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檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

  • 離子蝕刻FIB測(cè)試，SEM形貌觀察測(cè)試

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  • 對(duì)應(yīng)法規(guī)：依據(jù)被檢查樣品區(qū)分
    CNAS認(rèn)可項(xiàng)目：是
  • 聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬(Ga)離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像.此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工.通常是以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬,氧化硅層或沉積金屬層。 　　FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹： 　　1.IC芯片電路修改 　　用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便更快更準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 　　FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 　　2.Cross-Section 截面分析 　　用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測(cè)材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點(diǎn)分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 　　3.Probing Pad 　　在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測(cè)試點(diǎn), 以便進(jìn)一步使用探針臺(tái)(Probe- station) 或 E-beam直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào)。 　　4.FIB透射電鏡樣品制備 　　這一技術(shù)的特點(diǎn)是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。試樣可以為IC芯片、納米材料、顆?；虮砻娓男院蟮陌差w粒，對(duì)于纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。對(duì)含有界面的試樣或納米多層膜，該技術(shù)可以制備研究界面結(jié)構(gòu)的透射電鏡試樣。技術(shù)的另一重要特點(diǎn)是對(duì)原始組織損傷很小。 　　5.材料的鑒定 　　材料中每一個(gè)晶向的排列方向不同，可以利用遂穿對(duì)比圖像進(jìn)行晶界或晶粒大小分布的分析。另外，也可加裝EDS或SIMS進(jìn)行元素組成分析。 FIB測(cè)試，F(xiàn)IB檢測(cè)， FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡(jiǎn)單的說(shuō)就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然后利用電場(chǎng)加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點(diǎn). 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦離子束是針對(duì)樣品進(jìn)行平面、界面進(jìn)行微觀分析。檢測(cè)流程包括：樣品制定、上機(jī)分析、拍照等，最后提供界面相片等數(shù)據(jù)。 主要用途： 1、電路修正, 用于驗(yàn)證原型,改善bug，節(jié)省開(kāi)支，增快上市時(shí)間。 2、縱面的結(jié)構(gòu)分析可直接于樣品上處理,不需額外樣品準(zhǔn)備。 3、材料分析-TEM樣品制備,用于精確定點(diǎn)試片制作,減低定點(diǎn)試片研磨所需人員經(jīng)驗(yàn)的依賴。 4、電壓對(duì)比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。 5、Grain(晶粒)形狀大小的判定 SEM測(cè)試，SEM檢測(cè)。 1. 原理 SEM的工作原理是用一束極細(xì)的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級(jí)電子，次級(jí)電子的多少與電子束入射角有關(guān)，也就是說(shuō)與樣品的表面結(jié)構(gòu)有關(guān)，次級(jí)電子由探測(cè)體收集，并在那里被閃爍器轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào)，再經(jīng)光電倍增管和放大器轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)來(lái)控制熒光屏上電子束的強(qiáng)度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標(biāo)本的表面結(jié)構(gòu)。 2. 性能 設(shè)備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。 放大倍率：×5～×300,000 設(shè)備能夠滿足可以觀察直徑為0～200mm（8〞wafer）的試樣。 放大倍率：×5～×300,000 深圳市美信檢測(cè)術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱MTT）是從事工業(yè)與消費(fèi)產(chǎn)品測(cè)試、檢驗(yàn)與驗(yàn)證并具有第三方公正地位的專業(yè)檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)。 一. 環(huán)境可靠性檢測(cè)：1.其中氣候環(huán)境包含：高低溫試驗(yàn)，交變溫濕熱（溫變1-2℃/min)，快速溫度循環(huán)試驗(yàn)（溫變最快20℃/min），溫度沖擊試驗(yàn)，高溫高濕試驗(yàn)，恒定濕熱試驗(yàn)，鹽霧腐蝕試驗(yàn)(中性鹽霧、醋酸鹽霧、同加速乙酸鹽霧、交變鹽霧），防塵防水檢測(cè)（IP等級(jí)測(cè)試）（防塵試驗(yàn)IP1X-6X、防水試驗(yàn)IPX1-X8），IK等級(jí)測(cè)試、低氣壓試驗(yàn)，高壓蒸煮試驗(yàn)（HAST），人工汗液測(cè)試，氣體腐蝕試驗(yàn)，耐焊接熱，沾錫性，UL94阻燃試驗(yàn)，UV老化試驗(yàn)（熒光紫外燈），太陽(yáng)輻射試驗(yàn)（氙燈老化、鹵素?zé)簦┑鹊龋? 2.其中機(jī)械環(huán)境包含：振動(dòng)試驗(yàn)（隨機(jī)振動(dòng)，正掃頻振動(dòng)，定頻振動(dòng)），模擬汽輸車運(yùn)試驗(yàn)，碰撞試驗(yàn)，機(jī)械沖擊試驗(yàn)（半正弦波、方波、后峰鋸齒波），跌落試驗(yàn)(1m和1.5m),G值跌落，滾筒跌落試驗(yàn)（0.5m和1m)，斜面沖擊試驗(yàn)，堆碼壓力試驗(yàn)，水平擠壓試驗(yàn)，溫濕度+振動(dòng)三綜合試驗(yàn)，高加速壽命試驗(yàn)（HALT），高加速應(yīng)力篩選（HASS、HASA），插拔壽命試驗(yàn)（插拔力、拔出力），鋼球沖擊試驗(yàn)，按鍵壽命試驗(yàn)，點(diǎn)劃壽命試驗(yàn)，軟壓試驗(yàn)、搖擺試驗(yàn)，鉛筆硬度測(cè)試，耐磨擦測(cè)試，附著力測(cè)試，切片分析，F(xiàn)IB測(cè)試，SEM測(cè)試，百格測(cè)試等； 3.其中電氣性能包含：表面電阻，接觸電阻，絕緣電阻，耐電壓，溫升試驗(yàn)，摩擦電壓、靜電消散時(shí)間等等；
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胡吉祥

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