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安博檢測(cè)上海分公司

檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄
  • 玻璃組件PID測(cè)試第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)晶體硅62804報(bào)告

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  • 對(duì)應(yīng)法規(guī):IEC62804報(bào)告
    CNAS認(rèn)可項(xiàng)目:是
  • 哪里可以做光伏組件PID性能檢測(cè)玻璃組件的PID測(cè)試IEC/TS 62804檢測(cè)機(jī)構(gòu)光伏組件PID性能測(cè)試第三方權(quán)威實(shí)驗(yàn)室玻璃組件PID測(cè)試第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)晶體硅62804報(bào)告

    DIN IEC/TS 62804-1-2017
    光伏(PV)模塊.檢測(cè)電位誘導(dǎo)衰減的試驗(yàn)方法.第1部分:晶體硅(IEC/TS 62804-1-2015)

    Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon (IEC/TS 62804-1:2015)

    光伏組件卓越的抗PID性能確保了組件的高質(zhì)量和高可靠性,保證了光伏電站的穩(wěn)定運(yùn)行,特別是保障了電站在高溫潮濕等特殊氣候條件下25年生命周期內(nèi)的平穩(wěn)運(yùn)作。

    我司(安博檢測(cè))測(cè)試項(xiàng)目:LID光致衰減,PID(抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減),TC,HF,DH,ML,OD,RC,HS等

    1、在組件的PID衰減過程中,溫度因素起到加速老化衰減的作用非常明顯;

     

    2、在組件的PID衰減過程中,水蒸氣分壓(濕度)作為組件PID衰減的主要“誘因”因素,在組件的PID衰減過程中起到關(guān)鍵性作用;

    3、在組件的PID測(cè)試過程中,導(dǎo)電鋁箔能夠很好的保持組件玻璃表面和內(nèi)部電路之間的電場(chǎng)均勻,平衡個(gè)電池片之間的PID衰減作用非常明顯;

    4、組件PID測(cè)試以60℃、85%RH、-1000V電壓、組件表面貼導(dǎo)電鋁箔為測(cè)試條件(環(huán)境),

    測(cè)試時(shí)間為96小時(shí)比較合適。按照IE61215標(biāo)準(zhǔn)相應(yīng)規(guī)定來判斷組件是否合格。

    安博檢測(cè)是國(guó)內(nèi)首家民營(yíng)光伏產(chǎn)品測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,價(jià)格合理周期快,歡迎隨時(shí)來電來信咨詢,咨詢電話13480686521(微信同號(hào)), QQ2213430959    郵箱:ivy.liu@anbotek.com   聯(lián)系人:劉工

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